¿Tu ordenador va lento? Este invento chino que puede hacerlo 10.000 veces más rápido

¿Tu ordenador va lento? Este invento chino que puede hacerlo 10.000 veces más rápido

Un equipo de investigadores de la Universidad de Fudan ha desarrollado una memoria RAM a partir de grafeno. La diferencia respecto a las convencionales es abrumadora

R. Badillo, 24/04/2025 - 12:16

Un equipo de investigadores en China ha desarrollado un chip de memoria llamado PoX, capaz de operar a velocidades hasta 10.000 veces superiores a las actuales. Este avance, que combina grafeno con un nuevo modelo de inyección electrónica, podría transformar completamente el rendimiento de ordenadores y móviles. El laboratorio de la Universidad de Fudan ha sido el escenario donde un grupo de científicos ha dado forma a una memoria RAM no volátil que escribe datos en apenas 400 picosegundos, una marca que supera con creces a la tecnología DRAM convencional. [...] El material base de esta memoria, el grafeno, está compuesto por una única capa de átomos de carbono dispuestos en una estructura bidimensional. Gracias a su conductividad casi perfecta, permite una transferencia de carga extremadamente rápida. Este fenómeno, conocido como superinyección bidimensional, es la clave detrás de la velocidad récord del nuevo chip. Una de las grandes ventajas de PoX es que no necesita energía constante para mantener la información. A diferencia de las memorias DRAM o SRAM, que se vacían al apagar el dispositivo, esta nueva solución es capaz de retener los datos, al estilo de un USB, pero con una rapidez mil veces superior.

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Más información: https://interestingengineering.com/innovation/china-worlds-fastest-flash-memory-device