El nuevo chip sin silicio de China supera a Intel con un 40% más de velocidad y un 10% menos de energía

El nuevo chip sin silicio de China supera a Intel con un 40% más de velocidad y un 10% menos de energía

El nuevo transistor basado en bismuto podría revolucionar el diseño de chips, ofreciendo una mayor eficiencia y superando las limitaciones del silicio.

Sujita Sinha, 11 de marzo de 2025, 7:34 a. m. EST

Un equipo de investigadores de la Universidad de Pekín afirma haber logrado un gran avance en la tecnología de chips, que podría transformar la carrera de los semiconductores. Se dice que su nuevo transistor 2D es un 40 % más rápido que los últimos chips de silicio de 3 nanómetros de Intel y TSMC, a la vez que consume un 10 % menos de energía. Esta innovación, según afirman, podría permitir a China superar por completo los desafíos de la fabricación de chips basados ​​en silicio. “Es el transistor más rápido y eficiente jamás creado”, [...] el equipo de investigación cree que su enfoque representa un cambio fundamental en la tecnología de semiconductores. [...] El avance del equipo chino gira en torno a un transistor basado en bismuto que supera a los chips comerciales más avanzados de Intel, TSMC, Samsung y el Centro Interuniversitario de Microelectrónica de Bélgica. A diferencia de los transistores tradicionales basados ​​en silicio, que tienen dificultades para adaptarse a la miniaturización y la eficiencia energética en escalas extremadamente pequeñas, este nuevo diseño ofrece una solución sin esas limitaciones. Según Peng, si bien las sanciones lideradas por Estados Unidos han restringido el acceso de China a los transistores más avanzados basados ​​en silicio, las limitaciones también han llevado a los investigadores chinos a explorar soluciones alternativas.

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