Los físicos del MIT utilizan la luz para controlar el magnetismo y fabricar chips de memoria más rápidos y pequeños

Los físicos del MIT utilizan la luz para controlar el magnetismo y fabricar chips de memoria más rápidos y pequeños

Los materiales antiferromagnéticos se han considerado durante mucho tiempo como posibles innovadores en el almacenamiento de información

Srishti Gupta, 18 de diciembre de 2024 a las 11:00 a. m. EST

Los científicos del MIT han descubierto una nueva forma de controlar los estados magnéticos de los materiales, lo que podría allanar el camino para avances en la tecnología de chips de memoria. El equipo utilizó un láser de terahercios (una fuente de luz que oscila más de un billón de veces por segundo) para inducir una fase magnética duradera en un material antiferromagnético. Los investigadores cambiaron con éxito los espines atómicos ajustando el láser a las vibraciones atómicas del material, logrando un estado magnético previamente inalcanzable. Los materiales antiferromagnéticos, conocidos por sus espines atómicos alternos que se anulan entre sí, son resistentes a las interferencias magnéticas externas, a diferencia de los ferroimanes tradicionales, lo que los convierte en candidatos ideales para tecnologías de almacenamiento de datos robustas. Sin embargo, su resistencia a la manipulación magnética ha sido un obstáculo de larga data. El avance del MIT demuestra un enfoque viable para superar este desafío, lo que marca un paso crítico hacia la integración de antiferroimanes en chips de memoria compactos y energéticamente eficientes.

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