Nueva generación de dispositivos de memoria basados en el protón

Nueva generación de dispositivos de memoria basados en el protón

NCYT, 26/07/2023

Un método mediado por protones que produce múltiples transiciones de fase en materiales ferroeléctricos podría ayudar a desarrollar dispositivos de memoria de alto rendimiento, incluyendo chips de ordenador neuromórficos, o sea inspirados en el cerebro humano.

Así lo ha determinado el equipo internacional de Xin He, de la Universidad Rey Abdullah de Ciencia y Tecnología (KAUST) en Arabia Saudita.

Los materiales ferroeléctricos, como el seleniuro de indio, son materiales intrínsecamente polarizados que cambian de polaridad cuando se colocan en un campo eléctrico, lo que los hace atractivos para crear tecnologías de memoria. Además de funcionar con voltajes bajos, los dispositivos de memoria resultantes presentan una excelente fiabilidad de lectura y de escritura, así como buenas velocidades en ambas operaciones. No obstante, su capacidad de almacenamiento es baja. Esto se debe a que los métodos existentes solo pueden activar unas pocas fases ferroeléctricas.

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